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Diodes ZX5T2E6 Manual de usuario

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SEMICONDUCTORS
SUMMARY
BV
CEO
= -20V : R
SAT
= 31m ; I
C
= -3.5A
DESCRIPTION
Packaged in the SOT23-6 outline this new 5
th
generation low saturation 20V PNP transistor offers
extremely low on state losses making it ideal for use in
DC-DC circuits and various driving and power
management functions.
FEATURES
•
3.5 Amps continuous current
•
Extremely low saturation voltage (-70mV max @ 1A/100mA )
•
Up to 10 Amps peak current
• Very low saturation voltages
APPLICATIONS
•
DC - DC converters
•
Battery charging
•
Power switches
•
Motor control
•
Power management functions
DEVICE MARKING
•
52
ZX5T2E6
ISSUE 1 - MAY 2004
20V PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23-6
1
S
O
T
2
3
-
6
PINOUT
TOP VIEW
DEVICE REEL
SIZE
TAPE WIDTH
QUANTITY PER REEL
ZX5T2E6TA
7” 8mm embossed 3,000
ZX5T2E6TC 13” 8mm embossed 10,000
ORDERING INFORMATION
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Indice de contenidos

Pagina 1 - ORDERING INFORMATION

SEMICONDUCTORSSUMMARYBVCEO= -20V : RSAT= 31m ; IC= -3.5ADESCRIPTIONPackaged in the SOT23-6 outline this new 5thgeneration low saturation 20V PNP tra

Pagina 2 - THERMAL RESISTANCE

ZX5T2E6SEMICONDUCTORSISSUE 1 - MAY 20042PARAMETER SYMBOL LIMIT UNITCollector-base voltage BVCBO-25VCollector-emitter voltage BVCEO-20 VEmitter-base vo

Pagina 3 - CHARACTERISTICS

ZX5T2E6SEMICONDUCTORSISSUE 1 - MAY 20043CHARACTERISTICS

Pagina 4 - ISSUE 1 - MAY 2004

ZX5T2E6SEMICONDUCTORSISSUE 1 - MAY 20044PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONSCollector-base breakdown voltage BVCBO-25 -49 VIC= -100␮ACollec

Pagina 5 - TYPICAL CHARACTERISTICS

ZX5T2E6SEMICONDUCTORSISSUE 1 - MAY 20045TYPICAL CHARACTERISTICS

Pagina 6 - PACKAGE DIMENSIONS

ZX5T2E6SEMICONDUCTORS6ISSUE 1 - MAY 2004EuropeZetex GmbHStreitfeldstraße 19D-81673 MünchenGermanyTelefon: (49) 89 45 49 49 0Fax: (49) 89 45 49 49 49eu

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