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Diodes ZXTD4591E6 Manual de usuario

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ZXTD4591E6
ISSUE 1 - JULY 2000
DEVICE MARKING
4591
DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS
SUMMARY
NPN: V
CEO
=60V; I
C
= 1A; h
FE
=100-300
PNP: V
CEO
=-60V; I
C
= -1A; h
FE
=100-300
DESCRIPTION
Complementary NPN and PNP medium power transistors packaged in the 6
lead SOT23 package.
FEATURES
•
Low Equivalent On Resistance - NPN R
CE(sat)
210mΩat 1A
- PNP R
CE(sat)
355mΩat -1A
•
Low Saturation Voltage
• h
FE
characterised up to 2A
• I
C
=1A Continuous Collector Current
• SOT23-6 package
APPLICATIONS
• MOSFET gate driver
• Low Power Motor Drive
•
Low Power DC-DC Converters
ORDERING INFORMATION
DEVICE REEL SIZE
(inches)
TAPE WIDTH
(mm)
QUANTITY
PER REEL
ZXTD4591E6TA 7 8mm embossed 3000 units
ZXTD4591E6TC 13 8mm embossed 10000 units
Top View
1
SOT23-6
E2
B2
E1
C2
B1
C1
4591
C1
E1
B1
C2
E2
B2
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Indice de contenidos

Pagina 1 - ZXTD4591E6

ZXTD4591E6ISSUE 1 - JULY 2000DEVICE MARKING4591DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORSSUMMARYNPN: VCEO=60V; IC= 1A; hFE=100-300PNP: VCEO=-60

Pagina 2

ISSUE 1 - JULY 2000ZXTD4591E6THERMAL RESISTANCEPARAMETER SYMBOL VALUE UNITJunction to Ambient (a) RθJA113 °C/WJunction to Ambient (b) RθJA73 °C/WNOTES

Pagina 3

ISSUE 1 - JULY 2000ZXTD4591E6PNP TRANSISTORELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CON

Pagina 4

ISSUE 1 - JULY 2000ZXTD4591E6NPNELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.Col

Pagina 5

ISSUE 1 - JULY 2000ZXTD4591E6NPN TYPICAL CHARACTERISTICS5VCE(sat)-(V)10A1A10mA 100mA1mA-55 ° C+25 ° C+100 ° CIC/IB=10VCE(sat) vICIC-Collector CurrentI

Pagina 6

ISSUE 1 - JULY 2000ZXTD4591E6PNP TYPICAL CHARACTERISTICSVCE(sat)-(V)10A1A10mA 100mA1mA-55 °C+25 °C+100 °CIC/IB=10VCE(sat) vICIC-Collector CurrentIC-Co

Pagina 7

ISSUE 1 - JULY 2000ZXTD4591E6PACKAGE DIMENSIONS PAD LAYOUT DETAILS7Zetex plc.Fields New Road, Chadderton, Oldham, OL9-8NP, United Kingdom.Telephone: (

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