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Diodes DMN2004TK Manual de usuario Pagina 2

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DMN2004TK
Document number: DS30936 Rev. 5 - 2
2 of 6
www.diodes.com
November 2010
© Diodes Incorporated
DMN2004T
K
NEW PRODUCT
Maximum Ratings @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Units
Drain-Source Voltage
V
DSS
20 V
Gate-Source Voltage
V
GSS
±8 V
Drain Current (Note 4) Steady
State
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
540
390
mA
Pulsed Drain Current (Note 5)
I
DM
1.5 A
Thermal Characteristics @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Units
Total Power Dissipation (Note 4)
P
D
150 mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
833 °C/W
Operating and Storage Temperature Range
T
J,
T
STG
-55 to +150 °C
Electrical Characteristics @T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 6)
Drain-Source Breakdown Voltage
BV
DSS
20
⎯ ⎯
V
V
GS
= 0V, I
D
= 10μA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
⎯
⎯
0.8
0.9
300
⎯
nA
nA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
Gate-Source Leakage
I
GSS
⎯ ⎯
±1 μA
V
GS
= ±4.5V, V
DS
= 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 6)
Gate Threshold Voltage
V
GS
(
th
)
0.5
⎯
1.0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
Static Drain-Source On-Resistance
R
DS (ON)
⎯
0.4
0.5
0.7
0.55
0.70
0.9
Ω
V
GS
= 4.5V, I
D
= 540mA
V
GS
= 2.5V, I
D
= 500mA
V
GS
= 1.8V, I
D
= 350mA
Forward Transfer Admittance
|Y
fs
|
200
⎯ ⎯
ms
V
DS
=10V, I
D
= 0.2A
Diode Forward Voltage (Note 6)
V
SD
0.5
⎯
1.4 V
V
GS
= 0V, I
S
= 115mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C
iss
⎯ ⎯
150 pF
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
f = 1.0MHz
Output Capacitance
C
oss
⎯ ⎯
25 pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
⎯ ⎯
20 pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-On Delay Time
t
d
(
on
)
⎯
8.5
⎯
ns
V
DD
= 10V, R
L
= 47Ω, I
D
= 200mA,
V
GEN
=
4.5V, R
G
= 10Ω
Rise Time
t
r
⎯
9.1
⎯
ns
Turn-Off Delay Time
t
d
(
off
)
⎯
51
⎯
ns
Fall Time
t
f
⎯
28
⎯
ns
Notes: 4. Device mounted on FR-4 PCB.
5. Pulse width ≤10μS, Duty Cycle ≤1%
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
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