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Diodes ZXMN6A08E6 Manual de usuario Pagina 6

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ZXMN6A08E6
Document Number DS33376 Rev. 7 - 2
6 of 8
www.diodes.com
December 2013
© Diodes Incorporated
ADVANCE INFORMATION
ZXMN6A08E6
Typical Characteristics (cont.)
1 10
0
200
400
600
C
RSS
C
OSS
C
ISS
V
GS
= 0V
f = 1MHz
C Capacitance (pF)
V
DS
- Drain - Source Voltage (V)
0 1 2 3 4 5 6
0
2
4
6
8
10
V
DS
= 15V
I
D
= 1.4A
Gate-Source Voltage v Gate Charge
Capacitance v Drain-Source Voltage
Q - Charge (nC)
V
GS
Gate-Source Voltage (V)
Test Circuits
Current
regulator
Charge
Gate charge test circuit
Switching time test circuit
Basic gate charge waveform
Switching time waveforms
D.U.T
50k
12V
Sameas
D.U.T
V
GS
V
GS
V
DS
V
G
Q
GS
Q
GD
Q
G
V
GS
90%
10%
t
(on)
t
(on)
t
d(on)
t
r
t
r
t
V
DS
DD
V
R
D
R
G
V
DS
I
D
I
G
d(off)
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