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Diodes ZXMHC10A07N8 Manual de usuario

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Issue 1.0 - March 2009 1
© Diodes Incorporated
www.diodes.com
A
Product Line o
f
Diodes Incorporated
ZXMHC10A07N8
100V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge
Summary
Device V
(BR)DSS
Q
G
R
DS(on)
I
D
T
A
= 25°C
N-CH 100V 2.9nC
0.70Ω @ V
GS
= 10V 1.0A
0.90Ω @ V
GS
= 6.0V 0.9A
P-CH -100V 3.5nC
1.00Ω @ V
GS
= -10V -0.9A
1.45Ω @ V
GS
= -6.0V -0.7A
Description
This new generation complementary MOSFET H-Bridge
features low on-resistance achievable with low gate drive.
Features
• 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package
Applications
• DC Motor control
• DC-AC Inverters
Ordering information
Device Reel size
(inches)
Tape width
(mm)
Quantity
per reel
ZXMHC10A07N8TC 13 12 2,500
Device marking
ZXMHC
10A07
P1S/P2S
N1S/N2S
P1G
P2G
N2G
N1G
P1D/N1D
P2D/N2D
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Indice de contenidos

Pagina 1 - ZXMHC10A07N8

Issue 1.0 - March 2009 1 © Diodes Incorporated

Pagina 2

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 10 © Diodes Incorporated

Pagina 3

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 11 © Diodes Incorporated

Pagina 4

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 2 © Diodes Incorporated

Pagina 5

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 3 © Diodes Incorporated

Pagina 6

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 4 © Diodes Incorporated

Pagina 7

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 5 © Diodes Incorporated

Pagina 8

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 6 © Diodes Incorporated

Pagina 9 - Test circuits

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 7 © Diodes Incorporated

Pagina 10

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 8 © Diodes Incorporated

Pagina 11

ZXMHC10A07N8 Issue 1.0 - March 2009 9 © Diodes Incorporated

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