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Diodes ZXMHN6A07T8 Manual de usuario

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SEMICONDUCTORS
SUMMARY
V
(BR)DSS
= 60V : R
DS(on)
= 0.3 ; I
D
= 1.6A
DESCRIPTION
This new generation of trench MOSFETs from Zetex
utilizes a unique structure that combines the benefits of
low on-resistance with fast switching speed. This
makes them ideal for high efficiency, low voltage,
power management applications.
FEATURES
·
Compact package
·
Low on state losses
·
Low drive requirements
·
Operates up to 60V
·
1 Amp continuous rating
APPLICATIONS
·
Motor control
DEVICE MARKING
·
ZXMH
N6A07
ZXMHN6A07T8
ISSUE 2 - MAY 2004
60V N-CHANNEL MOSFET H-BRIDGE
1
SM8
TOP VIEW
PINOUT
DEVICE REEL
SIZE
TAPE
WIDTH
QUANTITY PER
REEL
ZXMHN6A07T8TA
7”
12mm 1,000 units
ZXMHN6A07T8TC 13” 12mm 4,000 units
ORDERING INFORMATION
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Indice de contenidos

Pagina 1 - ZXMHN6A07T8

SEMICONDUCTORSSUMMARYV(BR)DSS= 60V : RDS(on)= 0.3 ; ID= 1.6ADESCRIPTIONThis new generation of trench MOSFETs from Zetexutilizes a unique structure t

Pagina 2

ZXMHN6A07T8SEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20042PARAMETER SYMBOL LIMIT UNITDrain-source voltage VDSS60 VGate-source voltage VGS±20 VContinuous drain curre

Pagina 3

ZXMHN6A07T8SEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20043CHARACTERISTICS

Pagina 4

ZXMHN6A07T8SEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20044PARAMETER SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONSSTATICDrain-source breakdown voltage V(BR)DSS60 VID= 250␮A,

Pagina 5

ZXMHN6A07T8SEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20045TYPICAL CHARACTERISTICS

Pagina 6

ZXMHN6A07T8SEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20046TYPICAL CHARACTERISTICS

Pagina 7

ZXMHN6A07T8SEMICONDUCTORSISSUE 2 - MAY 20047EuropeZetex GmbHStreitfeldstraße 19D-81673 MünchenGermanyTelefon: (49) 89 45 49 49 0Fax: (49) 89 45 49 49

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